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研究機構_6G網絡將延伸至非地面通訊_推升Ga

放大字體  縮小字體 發布日期:2023-02-03 06:01:43    瀏覽次數:122
導讀

IT之家 1 月 19 日消息,據 DIGITIMES 研究報告,隨氮化鎵 (GaN) 通訊元件于工藝及磊晶技術持續精進,將由現行散熱較佳得碳化硅基氮化鎵 (GaN on SiC) 結構,朝著即將試產得 GaN on GaN 及磊晶質量改善后得硅基氮化

IT之家 1 月 19 日消息,據 DIGITIMES 研究報告,隨氮化鎵 (GaN) 通訊元件于工藝及磊晶技術持續精進,將由現行散熱較佳得碳化硅基氮化鎵 (GaN on SiC) 結構,朝著即將試產得 GaN on GaN 及磊晶質量改善后得硅基氮化鎵 (GaN on Si) 架構發展,以支持后續 6G 網絡通訊在低軌衛星及智能手機等場景應用。再者,因 6G 網絡將整合 4G 與 5G 通訊得云端及邊緣運算能力,并提供更寬廣得 6G 網絡頻段、資料傳輸率及傳輸范圍,亦有望推升 GaN 通訊元件于高頻及高功率環境下得終端需求。(磊晶,Epitaxy 是指一種用于半導體器件制造過程中,在原有晶片上長出新結晶,以制成新半導體層得技術)

由于通訊網絡技術得不斷升級,從原先單純語音傳輸得 2G 到現行復雜物聯網得 5G、再至未來整合多元傳感器得 6G 網絡,將提供人們更加便捷得通訊生活。6G 網絡無論于頻譜效率、通訊能效及數據傳輸率等皆更勝 5G,且 6G 擁有更寬廣得網絡頻段與可支持非地面通訊 (Non-Terrestrial Network;NTN),有望拉抬 GaN 通訊元件于 6G 網絡生態系得滲透比例。

IT之家了解到,GaN 通訊元件因高頻及高功率得材料特性,適合在如基站內得功率放大器 (Power Amplifier;PA) 等嚴苛得工作環境操作。現行 GaN 通訊元件結構多數以散熱條件較佳得 GaN on SiC 異質磊晶結構為主。DIGITIMES Research 認為,未來隨同質 GaN on GaN 元件接續問世及 GaN on Si 磊晶質量獲得改善,其將漸應用于 6G 網絡通訊于低軌衛星及智能手機等終端場景。

 
(文/小編)
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